富士IGBT-PIM模塊是一種高性能、可靠性強(qiáng)的功率裝置，常用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)、控制逆變器、開(kāi)關(guān)電源等場(chǎng)合。
 

　　一、使用原理
 

　　IGBT中文名為隔離柵雙極晶體管，是一種高性能的功率半導(dǎo)體器件。富士IGBT-PIM模塊內(nèi)置多個(gè)IGBT芯片，同時(shí)還包含驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等部件，使得整個(gè)模塊具備了高性能、高可靠性和良好的可控性。IGBT芯片的工作原理與普通的晶體管類(lèi)似，但其結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜，通過(guò)疊加若干PN結(jié)實(shí)現(xiàn)功率放大、控制兩大功能。雙極性晶體管在控制性能和開(kāi)通壓降方面具有優(yōu)勢(shì)，而隔離柵結(jié)構(gòu)在與單芯晶體管相比提供了優(yōu)異的控制性能的同時(shí)，還拓展了其大電流使用的范圍，使得整個(gè)功率器件工作更加高效可靠。
 

　　二、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
 

　　1. 外形緊湊、結(jié)構(gòu)合理。本模塊的外觀外殼采用金屬外殼，具有優(yōu)秀的抗干擾性和散熱性能，內(nèi)部包含驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路和IGBT芯片等多個(gè)部件。
 

　　2. 內(nèi)置IGBT芯片。本模塊采用多個(gè)IGBT芯片，實(shí)現(xiàn)了高功率、高效率的控制功能。
 

　　3. 多級(jí)驅(qū)動(dòng)電路。模塊內(nèi)部還配有高性能的驅(qū)動(dòng)電路，采用全數(shù)字處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多級(jí)驅(qū)動(dòng)電路，從而保證了模塊的可控性能和耐用度。
 

　　4. 多種保護(hù)功能。模塊還具備多種保護(hù)功能，如過(guò)溫保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)等，從而保證了模塊的可靠性和安全性。
 

　　三、使用特點(diǎn)
 

　　1. 采用多級(jí)驅(qū)動(dòng)電路和內(nèi)置多個(gè)IGBT芯片設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了高效率、穩(wěn)定性和可控性能，廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子中各種應(yīng)用場(chǎng)合。
 

　　2. 結(jié)構(gòu)緊湊、內(nèi)部配備有多種保護(hù)功能，可減少故障發(fā)生的可能性，同時(shí)模塊外部接口較為簡(jiǎn)單明了，方便維護(hù)人員進(jìn)行操作。
 

　　3. 適應(yīng)性強(qiáng)，可根據(jù)不同的使用場(chǎng)合進(jìn)行靈活組裝，適應(yīng)各種電力系統(tǒng)應(yīng)用需求，如不同的工作電壓、頻率等。
 

　　4. 富士IGBT-PIM模塊采用多種保護(hù)功能，如過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫等保護(hù)措施，保障了功率裝置的安全性。